電化學(xué)工作站 型號(hào):S9JL/CS310M

具體應(yīng)
用于：1）電合成、電沉積（電鍍）、陽(yáng)極氧化等反應(yīng)機(jī)理研究；2）電分析化學(xué)研究；電化
學(xué)傳感器的性能研究；3）xin 型能源材料（鋰離子電池、
太陽(yáng)能電池、燃料動(dòng)力電池和chao級(jí)電容器等）、功
能材料以及光電材料的性能研究；4）金屬材料在不同
介質(zhì)（水/混凝土/土壤等）中的腐蝕研究與耐蝕性評(píng)價(jià)；
5）緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰 極 保護(hù)效率的快 速評(píng)價(jià)。

電化學(xué)工作站 型號(hào):S9JL/CS310M

1、硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位電位控制范圍：±10V
恒電流控制范圍：±2.0A
電位控制精度：0.1%@Fullscale±1mV
電流控制精度：0.1%@Fullscale
電位分辨率：10
電流靈敏度：1pA
電位上升時(shí)間：電位上升時(shí)間: <1 S(<10mA), <1 S(<2A)
參比電極輸入阻抗: 10的12次方|20pF
電流量程: 2nA～2A，共10檔.
槽壓: ±21V
大輸出電流: 2.0A
CV和LSV掃描速度: 0.001mV～10V/s
CA和CC脈沖寬度: 0.0001～65000s
電流掃描增量: lmA@1A/mS
電位掃描時(shí)電位增量: 0.076mV @1V/mS
SWV頻率: 0.001～100KHz :
DPV和NPV脈沖寬度: 0.0001～1000s
AD數(shù)據(jù)采集: 16bit@ 1MHz, 20bit @1KHz
DA分辨率: 16bit, 建立時(shí)間: 10S
CV的小電位增量: 0.075mV
IMP頻率: 100Hz～1 MHz
低通濾波器: 8段可編程
電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置
接口通訊模式: USB2.0
2、電化學(xué)阻抗功能指標(biāo)
信號(hào)發(fā)生器:
頻率響應(yīng):
10CHz～1MHz
頻率度: 0.005%
交流信號(hào)幅值: 1mV～2500mV
信號(hào)分辨率: 0.1mV RMS
直流偏壓: -10～+10V
DDS輸出阻抗: 50C
波形:正弦波，三角波，方波
正弦波失真: <1%
掃描方式:對(duì)數(shù)/線(xiàn)性，增加/下降
3. CorrTest測(cè)與控制軟件主要功能
穩(wěn)態(tài)極化:開(kāi)路電位測(cè)量(OCP)、恒電位極化(I-t 曲線(xiàn)測(cè)試)、恒電流極化、動(dòng)電位掃描
(TAFEL曲線(xiàn))、動(dòng)電流掃描(DGP)
暫態(tài)極化:任意恒電位階梯波、任意恒電流階梯波、多電位階躍(VSTEP)、多電流階躍
(ISTEP )
計(jì)時(shí)分析:計(jì)時(shí)電位法(CP)、 計(jì)時(shí)電流法(CA)、 計(jì)時(shí)電量法(CC)
伏安分析:線(xiàn)性?huà)呙璺卜?LSV) "、線(xiàn)性循環(huán)伏安法(CV)
交流阻抗:電化學(xué)阻抗(EIS) ~頻率掃描、電化學(xué)阻抗(EIS) ~時(shí)間掃描、電化學(xué)阻抗
(EIS) ~電位掃描(Mott-Schottky 曲線(xiàn))、恒電流阻抗測(cè)試
腐蝕測(cè)k: .動(dòng)電位再活化法(EPR)、電化學(xué)噪聲(EN).電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)、氫擴(kuò)散測(cè)
試、晶間腐蝕測(cè)量
電池測(cè)試:電池充放電測(cè)試、恒電流充放電、恒電流滴定GITT、恒電位滴定PITT
其他:圓盤(pán)電極測(cè)試及轉(zhuǎn)速控制、溶液電阻測(cè)量(IR 降)、溶液電阻正反饋補(bǔ)償(IR 補(bǔ)償)
功能方法
穩(wěn)態(tài)極化 開(kāi)路電位測(cè)量（OCP）
恒電位極化（i-t曲線(xiàn)）
恒電流極化
動(dòng)電位掃描（TAFEL曲線(xiàn)）
動(dòng)電流掃描（DGP）
電位掃描-階躍
暫態(tài)極化 任意恒電位階梯波
任意恒電流階梯波
恒電位階躍（VSTEP）
恒電流階躍（ISTEP）
計(jì)時(shí)分析 計(jì)時(shí)電位法（CP）
計(jì)時(shí)電流法（CA）
計(jì)時(shí)電量法（CC）
線(xiàn)性?huà)呙璺卜ǎ↙SV）#
線(xiàn)性循環(huán)伏安法（CV）
交流阻抗 電化學(xué)阻抗（EIS）～頻率掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～時(shí)間掃描
電化學(xué)阻抗（EIS）～電位掃描
恒電流阻抗測(cè)試
電池測(cè)試 電池充放電測(cè)試
恒電流充放電（GCD）
 恒電位間歇滴定技術(shù)（PITT）
 恒電流間歇滴定技術(shù)（GITT）
雙恒測(cè)量  氫擴(kuò)散測(cè)試（HDT）
 盤(pán)環(huán)電極測(cè)試
擴(kuò)展測(cè)量  電化學(xué)噪聲（EN）
 電偶腐蝕測(cè)量（ZRA）
 控制電位電解庫(kù)倫法（BE）
 動(dòng)電位再活化法（EPR）
 溶液電阻測(cè)量
 循環(huán)極化曲線(xiàn)（CPP）
4、儀器配置
1)儀器主機(jī)1臺(tái):
2) CorrTest 測(cè)試與分析軟件1套
3)電源線(xiàn)、USB數(shù)據(jù)線(xiàn)、電極電纜線(xiàn)各1條
4)模擬電解池1個(gè)(儀器自檢器件)